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①温度。化学抛光时，溶解速度随着抛光液温度的提高而显著地增加。此外，强氧化性酸（如浓、等）在高温时氧化作用也会显著提高。在化学抛光时，化拋剂生产商，由于这些酸的溶解和氧化作用会同时发生，化拋剂价格，故多数情况下都是把抛光液加热到较高温度再进行化学抛光。需要提高温度再进行化学抛光的金属有钢铁、镍、铅等，若温度低于某一定值，就会出现无光的腐蚀表面，故存在一个形成光泽面的临界温度，在临界温度以上的一定温度范围内，化拋剂，抛光。而这个温度范围又因溶液组成而异。如果高于这个温度范围，会形成点蚀、局部污点或斑点，使整个抛光效果降低。此外温度越高，金属表面的溶解损失也越大

1、本抛光液在其使用初期会产生泡沫，因此抛光液液面与抛光槽顶部之间的距离不应≥15cm；2、 不锈钢工件在进入抛光槽之前应尽可能将残留在工件表面的水分除去，因工件夹带过多水分有可能造成抛光面出现麻点，局部浸蚀而导致工件报废；3、在电解抛光过程中，作为阳极的不锈钢配件，因其所含的铁、铬元素不断转变为金属离子溶入抛光液内而不在阴极表面沉积。随着化学反应的进行，金属离子浓度会不断增加，当达到一定浓度后，这些金属离子以磷酸盐和硫酸盐形式从抛光液内沉淀析出，沉降于抛光槽底部。因此抛光液必须定期过滤，去除这些固体沉淀物；4、在抛光槽反应过程中，除磷酸、硫酸不断消耗外，水分因蒸发和电解而损失，此外，高粘度抛光液不断被工件夹带损失，抛光液液面不断下降，需经常往抛光槽补加抛光液和水；5、本产品中和后排放符合当今环保要求

半导体行业CMP技术还广泛的应用于集成电路(IC)和超大规模集成电路中(ULSI)对基体材料硅晶片的抛光。随着半导体工业的急速发展，对抛光技术提出了新的要求，化拋剂销售，传统的抛光技术（如：基于淀积技术的选择淀积、溅射等）虽然也可以提供“光滑”的表面，但却都是局部平面化技术，不能做到全局平面化，而化学机械抛光技术解决了这个问题，它是可以在整个硅圆晶片上平坦化的工艺技术。

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