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上述两种抛光作用是不同的，以钢在磷酸型抛光液中的抛光为例说明。在抛光过程中钢的电极电位和溶解速度随浓度的变化情况如图4-2所示。即随着浓度的增加，钢材的电极电位也逐渐提高，同时溶解速度随之减小。钢的平滑化是由低电位区域的溶解作用形成的，而光泽化则是由高电位区域的溶解作用形成的。钢表面电位的升高是由表面形成的一些稳定的氧化膜固体所致，正是由于这种稳定氧化膜的形成，使零件光泽化。而平滑化可能是由金属离子或溶解生成物的扩散层导致的。

半导体行业CMP技术还广泛的应用于集成电路(IC)和超大规模集成电路中(ULSI)对基体材料硅晶片的抛光。随着半导体工业的急速发展，对抛光技术提出了新的要求，传统的抛光技术（如：基于淀积技术的选择淀积、溅射等）虽然也可以提供“光滑”的表面，但却都是局部平面化技术，两酸抛光配方，不能做到全局平面化，而化学机械抛光技术解决了这个问题，它是可以在整个硅圆晶片上平坦化的工艺技术。

化学抛光溶液：

化学抛光液的成分随抛光材料的不同而不同。一般为混合酸液。化学抛光溶液由氧化剂和粘滞剂组成。氧化剂起抛光作用，两酸抛光哪家好，它们是酸类和。常用的酸类有：正磷酸、铬酸、硫酸、醋酸、、等等。粘滞剂用于控制溶液中的扩散和对流速度，使化学抛光过程均匀进行。

化学抛光操作步骤

1：试样准备：试样经精磨光后清洗。

2：配置化学抛光溶液。化学抛光溶液应在烧杯中调配，两酸抛光厂家，根据试样材料选择化学抛光液配方，配溶液时应用蒸馏水，药品用化学纯试剂。某些不易溶于水的药品需要加热溶液才能溶解。和腐蚀性很强，调配时需注意安全。化学抛光溶液经使用之后，芜湖两酸抛光，溶液内金属离子增多，抛光作用减弱，如果发现作用缓慢，气泡减少，应更换新药液。

3：试样用竹夹或者木夹夹住浸入抛光液中，一边搅动并适时取出观察至达到抛光要求后取出。

4：化学抛光结束之后，试样应立即清洗、吹干。